无片外电容LDO电路设计

有仿真文档

Smic130nm工艺

电路的结构包括带隙基准，buffer，ldo环路，过温保护电路

具体的指标：

带隙基准：

输出电压1.2v

PSRR -61dB，

-40～125℃温漂3mv

LDO

环路增益72db，带宽5M

负载调整率为0.094

输入电压3.3，输出电压1.8v

Psrr：-57db

最大电流40mA

电路可以直接在Cadence virtuoso打开，适合初学者使用，大佬勿扰

ID:6369

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