IGBT模型。
本次发送的模型共有2个,部分有视频介绍及参考文献。
1.图1-4研究了多周期通电下IGBT的各参数变化,0-2s通电2V,2-4s断电即为0V,以此类推,采用的物理场为固体传热、电流、固体力学、事件、疲劳等物理场和电磁热、热膨胀等多物理场。
(才算18S时间模型内存达到700多兆)
2.图5-6利用温度和事件研究IGBT的各参数变化,本模型未加电场,而是考虑直接给热源,热源为0-0.2s给定,0.2-0.4s不给热源,以此持续10s,看最后温度及热流分布。
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